4 Inch SiC субстрат N-тип

4 Inch SiC субстрат N тибындагы үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

Semicera 4H-8H SiC ваферларының киң спектрын тәкъдим итә. Озак еллар ярымүткәргеч һәм фотоволтаик тармакларга продукт җитештерүче һәм тәэмин итүче булдык. Безнең төп продуктларга түбәндәгеләр керә: Кремний карбид эфир тәлинкәләре, кремний карбид көймә трейлерлары, кремний карбид вафер көймәләре (PV & ярымүткәргеч), кремний карбид мич торбалары, кремний карбид кантильвер паддерлары, кремний карбид чәкләре, кремний карбид балкышлары, шулай ук CVD SiC капламнары һәм TaC каплаулары. Күпчелек Европа һәм Америка базарларын яктырту. Сезнең Кытайда озак вакытлы партнер булуыгызны көтеп калабыз.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Кремний карбид (SiC) бер кристалл материалның зур диапазон аермасы киңлеге (~ Si 3 тапкыр), югары җылылык үткәрүчәнлеге (~ Si 3,3 тапкыр яки GaAs 10 тапкыр), югары электрон туендыру миграция темплары (~ Si 2,5 тапкыр), югары ватылу электр кыр (~ Si 10 тапкыр яки GaAs 5 тапкыр) һәм башка күренекле үзенчәлекләр.

Семицера энергиясе клиентларга югары сыйфатлы үткәргеч (үткәргеч), ярым изоляцион (ярым изоляцион), HPSI (югары чисталык ярым изоляцион) кремний карбид субстраты белән тәэмин итә ала; Моннан тыш, без клиентларга бертөрле һәм гетероген кремний карбид эпитаксиаль таблицалар белән тәэмин итә алабыз; Без шулай ук клиентларның конкрет ихтыяҗлары буенча эпитаксиаль таблицаны көйли алабыз, һәм минималь заказ күләме юк.

Предметлар	Producитештерү	Тикшеренү	Думи
Бәллүр параметрлар
Политип	4H
Faceир өстендә ориентация хата	<11-20> 4 ± 0,15 °
Электр параметрлары
Допант	азот
Каршылык	0.015-0.025ohm · см
Механик параметрлар
Диаметр	99,5 - 100 мм
Калынлык	350 ± 25 мм
Беренчел яссы юнәлеш	[1-100] ± 5 °
Беренчел яссы озынлык	32,5 ± 1,5 мм
Икенчел яссы позиция	Беренчел фатирдан 90 ° CW ± 5 °. кремний өскә
Икенчел яссы озынлык	18 ± 1,5 мм
TTV	≤5 мм	≤10 мм	≤20 мм
ЛТВ	≤2 μm (5 мм * 5 мм)	≤5 μm (5 мм * 5 мм)	NA
Bowәя	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Сугыш	≤20 мм	≤45 μm	≤50 мм
Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)
Структурасы
Микропип тыгызлыгы	≤1 ea / cm2	≤5 ea / cm2	≤10 ea / cm2
Металл пычраклары	≤5E10атом / см2		NA
BPD	001500 ea / cm2	0003000 ea / см2	NA
TSD	00500 ea / cm2	0001000 ea / cm2	NA
Алгы сыйфат
Фронт	Si
Faceир өсте бетү	Si-face CMP
Кисәкчәләр	≤60ea / wafer (size≥0.3μm)	NA
Сызулар	≤2ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр	Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр	NA
Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану	Беркем дә юк		NA
Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр	Беркем дә юк		NA
Политип өлкәләре	Беркем дә юк	Кумулятив мәйдан ≤20%	Кумулятив мәйдан ≤30%
Алгы лазер маркировкасы	Беркем дә юк
Арткы сыйфат
Артка тәмамлау	C-йөзле CMP
Сызулар	≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр	NA
Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс)	Беркем дә юк
Арткы тупаслык	Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)
Арткы лазер маркировкасы	1 мм (өске кырдан)
Кыр
Кыр	Чамфер
Пакетлау
Пакетлау	Эчке сумка азот белән тутырылган, тышкы сумка вакуумланган. Күп ваферлы кассета, эпи-әзер.
* Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин.