Семицераның 4 дюйм югары чисталык ярым изоляцион (HPSI) SiC ике яклы полировкаланган вафер субстратлары ярымүткәргеч индустриясенең таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Бу субстратлар искиткеч яссылык һәм чисталык белән эшләнгән, заманча электрон җайланмалар өчен оптималь мәйданчык тәкъдим итә.
Бу HPSI SiC ваферлары үзләренең югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм электр изоляциясе үзенчәлекләре белән аерылып торалар, аларны югары ешлыклы һәм югары көчле кушымталар өчен искиткеч сайлау ясыйлар. Ике яклы бизәү процессы минималь өслекнең тупаслыгын тәэмин итә, бу җайланманың эшләвен һәм озын гомерен арттыру өчен бик мөһим.
Semicera's SiC ваферларының югары чисталыгы кимчелекләрне һәм пычракларны киметә, уңышның югары булуына һәм җайланманың ышанычлылыгына китерә. Бу субстратлар бик күп кушымталар өчен яраклы, шул исәптән микродулкынлы җайланмалар, электр электроникасы, LED технологияләре, монда төгәллек һәм ныклык кирәк.
Инновациягә һәм сыйфатка игътибар итеп, Semicera заманча электроника таләпләренә туры килгән ваферлар җитештерү өчен алдынгы җитештерү техникасын куллана. Ике яклы бизәү механик көчен яхшыртып кына калмый, башка ярымүткәргеч материаллар белән яхшырак интеграцияләнүне дә җиңеләйтә.
Semicera-ның 4 дюйм югары чисталык ярым изоляцион HPSI SiC ике яклы полировкаланган вафер субстратларын сайлап, җитештерүчеләр көчәйтелгән җылылык белән идарә итү һәм электр изоляциясе өстенлекләрен куллана ала, нәтиҗәлерәк һәм көчле электрон җайланмалар үсешенә юл ача. Семицера сыйфат һәм технологик алгарышка тугрылык белән тармакны әйдәп баруны дәвам итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
