Семицераның 4 ", 6", һәм 8 "N тибындагы SiC Ingots ярымүткәргеч материалларда алга китешне күрсәтәләр, заманча электрон һәм электр системаларының таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Бу инготлар төрле ярымүткәргеч кушымталар өчен нык һәм тотрыклы нигез бирә, оптималь тәэмин итә. башкару һәм озын гомер.
Безнең N тибындагы SiC инготлары электр үткәрүчәнлеген һәм җылылык тотрыклылыгын арттырган алдынгы җитештерү процесслары ярдәмендә җитештерелә. Бу аларны югары көчле һәм югары ешлыктагы кушымталар өчен идеаль итә, мәсәлән, инвертер, транзистор, һәм эффективлык һәм ышанычлылык иң мөһиме булган башка электрон җайланмалар.
Бу инготларның төгәл допингы аларның эзлекле һәм кабатланырлык эшләвен тәкъдим итә. Бу эзлеклелек аэрокосмик, автомобиль һәм телекоммуникация кебек өлкәләрдә технология чикләрен этәрүчеләр һәм җитештерүчеләр өчен бик мөһим. Semicera's SiC инготлары экстремаль шартларда эффектив эшли торган җайланмалар җитештерергә мөмкинлек бирә.
Semicera-ның N тибындагы SiC Ingots-ны сайлау - югары температураны һәм югары электр йөген җиңеллек белән эшкәртә алырлык материалларны берләштерү дигән сүз. Бу керемнәр аеруча җылылык белән идарә итүне һәм югары ешлыклы эшне таләп итә торган компонентлар булдыру өчен бик яраклы, мәсәлән, RF көчәйткечләре һәм көч модуллары.
Семицераның 4 ", 6", һәм 8 "N тибындагы SiC Ingots" ны сайлап, сез ярымүткәргеч технологияләр таләп иткән төгәллек һәм ышанычлылык белән искиткеч материаль үзенчәлекләрне берләштергән продуктка инвестиция кертәсез. Семицера тармакны әйдәп баруны дәвам итә. электрон җайланмалар җитештерүне алга этәрүче инновацион чишелешләр белән тәэмин итү.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
