Кремний карбид (SiC) бер кристалл материалның зур диапазон аермасы киңлеге (~ Si 3 тапкыр), югары җылылык үткәрүчәнлеге (~ Si 3,3 тапкыр яки GaAs 10 тапкыр), югары электрон туендыру миграция темплары (~ Si 2,5 тапкыр), югары ватылу электр кыр (~ Si 10 тапкыр яки GaAs 5 тапкыр) һәм башка күренекле үзенчәлекләр.
Өченче буын ярымүткәргеч материалларына, нигездә, SiC, GaN, бриллиант һ.б. керә, чөнки аның полосасы аермасы киңлеге (Ег) 2,3 электрон вольттан (eV) зуррак яки тигез, ул шулай ук киң диапазон ярымүткәргеч материаллары буларак та билгеле. Беренче һәм икенче буын ярымүткәргеч материаллар белән чагыштырганда, өченче буын ярымүткәргеч материалларның югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу электр кыры, югары туендырылган электрон миграция темплары һәм югары бәйләнеш энергиясе өстенлекләре бар, алар заманча электрон технологиянең яңа таләпләренә җавап бирә ала. температура, югары көч, югары басым, югары ешлык һәм нурланышка каршы тору һәм башка катлаулы шартлар. Аның милли оборона, авиация, аэрокосмос, нефть эзләү, оптик саклау һ.б. өлкәсендә куллану перспективалары бар, һәм киң полосалы элемтә, кояш энергиясе, автомобиль җитештерү кебек күп стратегик тармакларда энергия югалтуын 50% тан киметергә мөмкин, ярымүткәргеч яктырту, һәм акыллы челтәр, һәм җиһаз күләмен 75% тан киметергә мөмкин, бу кеше фәнен һәм технологиясен үстерү өчен мөһим вакыйга.
Семицера энергиясе клиентларга югары сыйфатлы үткәргеч (үткәргеч), ярым изоляцион (ярым изоляцион), HPSI (югары чисталык ярым изоляцион) кремний карбид субстраты белән тәэмин итә ала; Моннан тыш, без клиентларга бертөрле һәм гетероген кремний карбид эпитаксиаль таблицалар белән тәэмин итә алабыз; Без шулай ук клиентларның конкрет ихтыяҗлары буенча эпитаксиаль таблицаны көйли алабыз, һәм минималь заказ күләме юк.
ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
| Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
| nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6ум | ≤6ум | |||
| Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Сугыш (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μм | ||||
| Вафер кыры | Бевелинг | ||||
ТОРМЫШ
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым изоляцион
| Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
| nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
| Faceир өсте | Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP | ||||
| SurfaceRoughness | (10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0,5нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm | |||
| Кыр чиплары | Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм) | ||||
| Күрсәтмәләр | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
| Сызулар (Si-Face) | Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры | Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры | Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры | ||
| Ярыклар | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
| Кыр читен чыгару | 3 мм | ||||
