Semicera 3C-SiC Wafer субстратлары киләсе буын электр электроникасы һәм югары ешлыклы җайланмалар өчен ныклы платформа тәэмин итү өчен эшләнгән. Supгары җылылык үзенчәлекләре һәм электр характеристикалары белән бу субстратлар заманча технологиянең таләпләренә туры китереп эшләнгән.
Семицера Вафер субстратларының 3C-SiC (Кубик Кремний Карбид) структурасы уникаль өстенлекләр тәкъдим итә, шул исәптән югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм башка ярымүткәргеч материаллар белән чагыштырганда түбән җылылык киңәйтү коэффициенты. Бу аларны экстремаль температурада һәм югары көчле шартларда эшләүче җайланмалар өчен искиткеч сайлау ясый.
Electricгары электр ватылу көчәнеше һәм югары химик тотрыклылык белән, Semicera 3C-SiC Wafer субстратлары озакка сузылган эшне һәм ышанычлылыкны тәэмин итә. Бу үзенчәлекләр югары ешлыктагы радар, каты торышлы яктырту, эффективлык һәм ныклык иң мөһиме булган кушымталар өчен бик мөһим.
Семицераның сыйфатка тугрылыгы аларның 3C-SiC Wafer субстратларының җентекләп җитештерү процессында чагыла, һәр партиядә бердәмлекне һәм эзлеклелекне тәэмин итә. Бу төгәллек алар өстендә төзелгән электрон җайланмаларның гомуми эшләвенә һәм озын гомеренә ярдәм итә.
Semicera 3C-SiC Wafer субстратларын сайлап, җитештерүчеләр кечерәк, тизрәк һәм эффектив электрон компонентлар үсешенә мөмкинлек бирүче заманча материалга ирешәләр. Семицера ярымүткәргеч индустриясенең үсеш таләпләренә җавап бирә торган ышанычлы карарлар биреп технологик инновацияләргә булышуны дәвам итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
