Семицератәкъдим итү белән горурлана30 мм алюминий нитрид вафер субстрат, заманча электрон һәм оптоэлектрон кушымталарның катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән иң югары дәрәҗәдәге материал. Алюминий Нитрид (AlN) субстратлары искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм электр изоляциясе үзенчәлекләре белән дан казаналар, аларны югары җитештерүчән җайланмалар өчен идеаль сайлау ясыйлар.
Төп үзенчәлекләр:
• Гадәттән тыш җылылык үткәрүчәнлеге:.30 мм алюминий нитрид вафер субстрат170 Ватт / мК кадәр җылылык үткәрүчәнлеге белән мактана, башка субстрат материаллардан күпкә югарырак, югары көчле кушымталарда җылылыкның эффектив таралуын тәэмин итә.
•Electгары электр изоляциясе: Искиткеч электр изоляциясе белән, бу субстрат кросс һәм сигнал интерфейсын минимальләштерә, аны RF һәм микродулкынлы кушымталар өчен идеаль итә.
•Механик көч:.30 мм алюминий нитрид вафер субстратөстен механик көч һәм тотрыклылык тәкъдим итә, хәтта каты эш шартларында да ныклыкны һәм ышанычлылыкны тәэмин итә.
•Күпкырлы кушымталар: Бу субстрат югары көчле LED, лазер диодларында һәм RF компонентларында куллану өчен бик яхшы, сезнең иң таләпчән проектларыгыз өчен ныклы һәм ышанычлы нигез бирә.
•Төгәл җитештерү: Семицера һәр вафер субстратның иң төгәллек белән эшләнүен тәэмин итә, алдынгы электрон җайланмаларның таләпләренә туры килү өчен бердәм калынлык һәм өслек сыйфатын тәкъдим итә.
Semicera's белән җайланмаларның эффективлыгын һәм ышанычлылыгын максимальләштерегез30 мм алюминий нитрид вафер субстрат. Безнең субстратлар югары җитештерүчәнлекне тәэмин итү өчен эшләнгән, сезнең электрон һәм оптоэлектрон системаларның иң яхшы эшләвен тәэмин итү. Семисерага сыйфат һәм инновация өлкәсендә алдынгы материаллар өчен ышаныч.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
