Тасвирлау
Безнең компания тәэмин итәSiC каплауграфит, керамика һәм башка материаллар өслегендә CVD ысулы белән хезмәт күрсәтү, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар формалашалар.SiC саклагыч катлам.
Төп үзенчәлекләр
1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:
температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.
2. Purгары чисталык: химик парларны югары температурада хлорлаштыру шартларында ясыйлар.
3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.
4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.
CVD-SIC каплауның төп үзенчәлекләре
| SiC-CVD үзенчәлекләре | ||
| Бәллүр структурасы | FCC β фаза | |
| Тыгызлыгы | г / см ³ | 3.21 |
| Каты | Викерс каты | 2500 |
| Ашлык күләме | μm | 2 ~ 10 |
| Химик чисталык | % | 99.99995 |
| Atылылык сыйдырышлыгы | J · кг-1 · К-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Флексур көч | MPa (ТР 4 балл) | 415 |
| Яшь модуль | Gpa (4pt бөкләнү, 1300 ℃) | 430 |
| Rылылык киңәюе (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | (W / mK) | 300 |
Equipmentиһазлау
