Семицера10х10 мм поляр булмаган М-самолет Алюминий субстраталдынгы оптоэлектрон кушымталарның таләпләренә туры китереп эшләнгән. Бу субстрат поляр булмаган M-яссылык ориентациясен күрсәтә, бу LED һәм лазер диодлары кебек җайланмаларда поляризация эффектларын киметү өчен бик мөһим, нәтиҗәлелеген арттыруга китерә.
.Әр сүзнең10х10 мм поляр булмаган М-самолет Алюминий субстратминималь кимчелек тыгызлыгын һәм өстен структур бөтенлеген тәэмин итеп, кристалл сыйфаты белән эшләнгән. Бу аны киләсе буын оптоэлектрон җайланмалары үсеше өчен кирәк булган югары сыйфатлы III-нитрид фильмнарның эпитаксиаль үсеше өчен идеаль сайлау ясый.
Семицераның төгәл инженериясе аларның һәрберсен тәэмин итә10х10 мм поляр булмаган М-самолет Алюминий субстратэзлекле калынлык һәм өслек яссылыгы тәкъдим итә, алар бердәм кино туплау һәм җайланма ясау өчен бик мөһим. Өстәвенә, субстратның компакт зурлыгы аны тикшерү өчен дә, җитештерү мохите өчен дә яраклы итә, төрле кушымталарда сыгылмалы кулланырга мөмкинлек бирә. Яхшы җылылык һәм химик тотрыклылыгы белән, бу субстрат заманча оптоэлектрон технологияләр үсеше өчен ышанычлы нигез бирә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
